جستجو در مقالات منتشر شده


۳ نتیجه برای میدان مغناطیسی

حسین مهراد، دکتر بهرام بلوری، دکتر حسین عشایری،
جلد ۱۲، شماره ۴۵ - ( ۳-۱۳۸۴ )
چکیده

با افزایش حضور میدان‌های مغناطیسی یکنواخت با شدت‌های کم در محیط‌های مختلف از جمله کارخانه‌ها، صنایع، وسایل حمل و نقل، بیمارستان‌ها، اطراف وسایل برقی خانگی و نیز کاربردهای آن در زمینه‌های پزشکی، بررسی دقیق و همه جانبه اثرات این نوع میدان‌ها بر خواص و عمل‌کرد بافت‌های مختلف بدن انسان، به خصوص بافت عصبی، از نقطه‌نظر حفاظت و ایمنی و نیز استفاده درمانی از آن‌ها، لازم و ضروری می‌باشد. با توجه به این مطالب، تحقیق حاضر جهت بررسی اثر میدان‌های مغناطیسی یکنواخت با شدت کم بر سرعت هدایت الکتریکی سیگنال‌های عصبی صورت گرفت. میدان‌ مغناطیسی اعمال شده ۵/۰ میلی‌تسلا و محل پرتودهی، عصب حرکتی محیطی مدیان در محل اتصال آن به عضله ابداکتورپولیسیس برویس بود. مقدار زمان تأخیر و سرعت هدایت الکتریکی عصب ذکر شده با دستگاه تحریک و ثبت Cadwell ۵۲۰۰ A روی مچ دست چپ ۳۰ نفر از مردان سالم، ۱ بار بدون اعمال میدان و بار دیگر در زمان برقرار شدن میدان، اندازه‌گیری شد. با بررسی و اندازه‌گیری منحنی‌های پاسخ دستگاه تحریک مشاهده شد که میدان مغناطیسی سبب کاهش سرعت هدایت الکتریکی سیگنال‌های عصبی، از طریق افزایش زمان تأخیر در عمل‌کرد میانجی‌های عصبی ـ عضلانی در محل سیناپس عصبی ـ عضلانی یا افزایش زمان تأخیر در انتقال سیگنال در فیبرهای عضلانی، می‌گردد(۰۵/۰ P< ). علت افزایش زمان تأخیر و کاهش سرعت هدایت الکتریکی در محل سیناپس عصب و عضله، می‌تواند به بلوک شدن موقتی اثر میانجی‌های عصبی ـ عضلانی از جمله استیل کولین و تغییر میزان غلظت آن‌ها به واسطه اثر نیروی لورنتز یا ناشی از افزایش فضای سیناپسی عصب و عضله تحت اثر میدان مغناطیسی باشد. هم‌چنین افزایش زمان تأخیر در انتقال سیگنال توسط فیبرهای عضلانی می‌تواند به علت تغییر در میزان غلظت کلسیم یا تغییر آستانه تحریک‌پذیری فیبرها، تحت اثر میدان مغناطیسی باشد.


مجید جدیدی، دکتر سیدمحمد فیروزآبادی، دکتر عباسعلی وفایی،
جلد ۱۳، شماره ۵۱ - ( ۳-۱۳۸۵ )
چکیده

    زمینه و هدف: میدان مغناطیسی موجود در محیط زندگی انسان ناشی از مولدهای الکتریکی، خطوط انتقال نیرو یا وسایل الکتریکی است که می‌تواند اثراتی را بر حافظه و یادگیری ایجاد نماید. این مطالعه به منظور بررسی اثر میدان مغناطیسی کوتاه مدت بر حافظه فضایی موش صورت گرفت. روش بررسی: در این مطالعه تجربی از ۱۰ موش سوری نژاد ویستار که به مدت ۶ روز برای بررسی حافظه فضایی در مدل ماز T شکل آموزش دریافت نموده بودند، استفاده شد. یک روز بعد از آموزش، به منظور ثبت زمان یافتن غذا، آزمایشات در ۳ مرحله(کنترل، Restrainer و میدان مغناطیسی) با فاصله زمانی ۲ ساعت اجرا گردید و هر موش در ۵ مرحله به فواصل حدود یک دقیقه در ابتدای ماز قرار گرفت و زمان حرکت موش تا رسیدن به محل غذا توسط یک کورنومتر اندازه گیری شد. برای ایجاد میدان مغناطیسی از یک سیم پیچ حلقوی با قطر داخلی ۸ سانتی متر و دارای ۸۵۰ دور سیم مسی استفاده شد. ضمنا حداکثر شدت میدان مغناطیسی در مرکز سیم پیچ با کمک یک دستگاه تسلامتر در حد ۵/۷ میلی‌تسلا کالیبره گردید. یافته‌ها: نتایج در ۳ مرحله ارزیابی، نشان داد که میانگین زمانهای بدست آمده به ترتیب ۴/۱۵، ۵/۱۱ و ۳/۱۱ ثانیه بود. همچنین بین زمان بدست آمده در مرحله کنترل با دو مرحله دیگر، اختلاف معنی‌داری وجود داشت(۰۵/۰P<)، اما بین مرحله آزمایش با Restrainer و میدان مغناطیسی، اختلاف معنی‌داری وجود نداشت. نتیجه‌گیری: یافته‌های تحقیق نشان داد که اعمال میدان مغناطیسی کوتاه مدت(۵۰ هرتز و ۵/۷ میلی‌تسلا) بر مهارت موش در Tماز، بی‌اثر بوده و احتمالا اثری بر فرایند حافظه فضایی ندارد.


آیشین باقری، زینب خزائی کوهپر، مجتبی فلاحتی،
جلد ۲۴، شماره ۱۶۳ - ( ۱۰-۱۳۹۶ )
چکیده

زمینه و هدف: سکته مغزی ایسکمیک یک علت شایع ناتوانی بالغین و مرگ در کل جهان است که منجر به آسیب شبکه‌ها و عروق عصبی و توقف عملکردهای مغزی می‌گردد. در این مطالعه اثر نانوذرات اکسید آهن و میدان مغناطیسی در عصب‌زایی بعد از ایسکمی ریپرفیوژن (IR) در مدل رت بررسی شد.
روش کار: در این مطالعه تجربی، ۵۰ سر موش نر نژاد ویستار (۲۲۰-۲۵۰ گرم) به طور تصادفی به ۵ گروه ده تایی شامل کنترل، شم (ایسکمی ریپرفیوژن)، IR + تیمار با نانوذرات اکسید‌آهن (۱۰ میلی گرم بر کیلوگرم)، IR + میدان مغناطیسی (۱ تسلا، ۲۰ دقیقه روزانه به مدت ۴ روز) و IR + استفاده از نانو ذره اکسید آهن و میدان مغناطیسی به طور هم زمان تقسیم شد. تزریق‌ها به روش IP انجام شد. عصب زایی در هیپوکامپ ۵ گروه بعد از ۴ روز به روش رنگ آمیزی H&E ارزیابی شد. بیان ژن Nestin در ۵ گروه به صورت کمی به روش Real-time PCR بررسی شد.
یافته‌ها: در این مطالعه آشکار شد که نانوذرات اکسید آهن و همینطور میدان مغناطیسی نرخ عصب‌زایی را بعد از ایسکمی ریپرفیوژن در طول ۴ روز افزایش می‌دهند (۰۵/۰>p). بیان ژن Nestin در گروه تحت تیمار با نانوذرات اکسید آهن و در گروه در معرض میدان مغناطیسی به طور معنی‌داری (۰۵/۰>p) در مقایسه با مدل ایسکمی ریپرفیوژن افزایش داشت. هرچند درمان ترکیبی آن‌ها تفاوت معنی‌داری در مقایسه با گروه شم در طول ۴ روز نشان نداد.
نتیجه‌گیری: نتایج مطالعه پیشنهاد می‌کند که نانوذرات اکسید آهن و میدان مغناطیسی بصورت جداگانه بتوانند دو روش مؤثر در درمان ایسکمی باشند.
 
 



صفحه ۱ از ۱     

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به مجله علوم پزشکی رازی می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2025 CC BY-NC-SA 4.0| Razi Journal of Medical Sciences

Designed & Developed by : Yektaweb